RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
63
Около -215% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
20
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3473
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link