RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
5.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
39
Около -5% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
8.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
5.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
1967
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link