RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2847
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link