RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
39
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
3119
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link