RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3299
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link