RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
39
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2565
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link