RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
35
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
19.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3435
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link