RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
62
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
62
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
1891
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link