RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
72
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
72
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2142
1728
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link