Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 29

Около 14% меньшая задержка

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.8 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 16.8
Скорость записи, Гб/сек

8.6 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 3143

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

Kingston 9905711-017.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB

Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB

модули RAM