RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
79
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
79
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1651
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link