RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.6
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
4173
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link