RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2925
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link