Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.1 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 25
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 15.1
Скорость записи, Гб/сек

8.6 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 2914

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB

модули RAM

Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB

Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB

Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB

Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB

модули RAM