RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2430
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link