RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
6.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1499
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link