Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 45
    En 44% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 6.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2045 left arrow 1499
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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