RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2494
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link