RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2349
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link