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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.1
10.8
写入速度,GB/s
8.6
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2349
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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