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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
55
左右 -96% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,622.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
28
读取速度,GB/s
4,098.0
19.9
写入速度,GB/s
1,622.4
14.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
628
3732
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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