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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965640-015.A00G 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
16.1
9.5
写入速度,GB/s
10.1
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2354
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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