Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 42

Около 40% меньшая задержка

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.9 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.7 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 42
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 12.9
Скорость записи, Гб/сек

8.6 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 2735

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

модули RAM