RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
53
Около 53% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2310
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link