RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
42
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
42
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2476
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link