RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
41
Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2254
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link