RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
55
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
55
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
12.2
Скорость записи, Гб/сек
13.8
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2701
2382
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link