RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
55
Intorno -96% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
55
28
Velocità di lettura, GB/s
15.8
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
13.8
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2701
2382
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link