RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
41
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3098
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link