RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3164
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link