RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2417
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link