RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2417
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link