Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 41
    Autour de -46% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.2 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.7 left arrow 9.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 12800
    Autour de 1.5 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.9 left arrow 16.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.7 left arrow 12.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2366 left arrow 2417
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons