RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3061
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link