Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Kingston X74R9W-MIE 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Средняя оценка

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Причины выбрать
Kingston X74R9W-MIE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 41

Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.0 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.9 18.5
Скорость записи, Гб/сек

9.7 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2366 3136

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

модули RAM