RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
41
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2739
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston HP16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link