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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2739
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
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AMD R744G2606U1S 4GB
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