RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3756
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link