RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB против UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
39
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3217
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link