RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB против Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
60
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.0
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2660
2359
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link