RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2609
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link