RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2609
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link