Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 10.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

53 58

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.0 2,001.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 53
Скорость чтения, Гб/сек

4,796.5 10.1
Скорость записи, Гб/сек

2,001.3 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

768 2319

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

V-GEN D4R8GL24A8R 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB

модули RAM

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Mushkin 994083 4GB

Mushkin 994083 4GB

Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM