RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
54
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
6.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1929
2468
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB Сравнения RAM
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link