RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3535
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link