RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Сравнить
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1397
3061
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link