RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1397
3061
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link