RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
60
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
60
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2152
1505
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link