Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Сообщить об ошибке

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 43

Около -126% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 19
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 16.4
Скорость записи, Гб/сек

8.0 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2057 3521

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-003.B00LF 4GB

Kingston 9905403-003.B00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

модули RAM