RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
43
Около -5% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2044
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link