RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3515
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link