RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3045
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link